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場發射穿透式電子顯微鏡 (FETEM)

儀器名稱:場發射穿透式電子顯微鏡 (Field emission gun transmission electron microscopy) 

l購置年度:95年~96年

l放置地點:工程一館142實驗室(E1-142 Lab)

l服務項目:

1.      穿透式電子顯微鏡:明視野(Bright Field, BF)/暗視野(Dark Field, DF)/高解析度影像(HR TEM)。

2.      擇區電子繞射(Selective Area Diffraction, SAD)。

3.      掃描穿透式電鏡(STEM):高角度環形暗場影像(HAADF)。

4.     能量散佈能譜分析(EDS):元素定點定性與定量分析

5.     掃描穿透式電鏡(STEM)與能量散佈能譜儀(EDS)的結合:元素定點、直線成分(line profile)、二維成份影像(elemental mapping)分析。

l樣本準備需知:

禁用磁性材料。

金屬、陶瓷塊材試片、銅網所製備的奈米線或粉末試片請務必烘乾及放入乾燥箱保存最少一天,若試片放入則儀器真空讀值上升,立即退出樣品,以避免汙染槍體。
高分子樣品裂解溫度需達350度以上,並附上TGA曲線圖、之前所拍攝影像,此類樣品請先聯絡再預約,若違反者取消當日預約。

l收費標準:

校內外基本費(委託操作) $12,000 元/時段(3 小時) CCD 照相 $100 元/張

EDS 定性 $200 元/點

EDS 定量 $200 元/點

Line profile $2000 元/條

Elemental mapping $2000 元/張

增加一個試片 $2000 元/個

CUD. 光碟檔案存取 $100元/片

l開放服務對象:校內、校外學術單位及產業界

l儀器負責老師及技術員聯絡方式:

負責教授:陳詩芸 教授 (02)2737-6517

技術員:吳盈瑩 小姐(02)2733-3141#7413、#3685

l儀器介紹:

Philips Tecnai F20 G2 FEI-TEM,適用分析固態無機材料中金屬、陶瓷、半導體、生醫、高分子等樣品。以場發射200kV高能量電子穿透試片,附加數位電子影像系統設備(CCD)、能量分散光譜儀(EDS)、掃描穿透式電鏡高角度環形暗場影像儀(STEM HAADF)等配備。

SDM. 功能上可觀察物體之形貌,在操作上搭配繞射圖譜,明、暗場像相互之切換時,可以分析材料結構及缺陷,例如結晶相分布、晶粒分布、多層鍍膜厚度、缺陷型態、缺陷位置、缺陷定量等;繞射圖譜可判定材料成相,例如單晶、多晶及非晶質;於高倍率時提供高解析原子級影像(HR-TEM)。

STEM HAADF利用環狀設計的影像感測器接收高角度散射之電子,過濾掉繞射對比進而呈現出元素分佈影像;對於不同材料的各金屬層,HAADF偵測器可以依材料之原子序大小,呈現不同之亮度灰階,加強材料層之間的對比,搭配能量散佈能譜儀(EDS) 除了元素定點外,可做直線成分(line profile)、二維成份影像(elemental mapping)分析,相較於傳統之視野影像有更佳之成分鑑別率。

此儀器兼具高解析影像及成分解析多重功能,是微觀世界中研究分析材料不可或缺的利器。

 

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